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基本信息 | 登录收藏 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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期刊名字![]() | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES IEEE T ELECTRON DEV (此期刊被最新的JCR期刊SCIE收录) LetPub评分 7.9
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声誉 8.3 影响力 7.3 速度 8.4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊ISSN | 0018-9383 | ![]() 蝌蝌APP,让您与同行交流更轻松
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2024-2025最新影响因子 (数据来源于搜索引擎) | 3.2 点击查看影响因子趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
实时影响因子 | 截止2025年5月19日:3.199 | |||||||||||||||||||||||||||||||
2024-2025自引率 | 15.60%点击查看自引率趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
五年影响因子 | 3.3 | |||||||||||||||||||||||||||||||
JCI期刊引文指标 | 0.69 | |||||||||||||||||||||||||||||||
h-index | 165 | |||||||||||||||||||||||||||||||
CiteScore ( 2025年最新版) |
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期刊简介 |
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期刊官方网站 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊投稿格式模板 VIP专享 |
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期刊投稿网址 | https://mc.manuscriptcentral.com/ted | |||||||||||||||||||||||||||||||
期刊语言要求 | 经LetPub语言功底雄厚的美籍native English speaker精心编辑的稿件,不仅能满足IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的语言要求,还能让IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES编辑和审稿人得到更好的审稿体验,让稿件最大限度地被IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES编辑和审稿人充分理解和公正评估。LetPub的专业SCI论文编辑服务(包括SCI论文英语润色,同行资深专家修改润色,SCI论文专业翻译,SCI论文格式排版,专业学术制图等)帮助作者准备稿件,已助力全球15万+作者顺利发表论文。部分发表范例可查看:服务好评 论文致谢 。
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是否OA开放访问 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||
通讯方式 | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版商 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||
涉及的研究方向 | 工程技术-工程:电子与电气 | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版国家或地区 | UNITED STATES | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版语言 | English | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版周期 | Monthly | |||||||||||||||||||||||||||||||
出版年份 | 0 | |||||||||||||||||||||||||||||||
年文章数 | 1123点击查看年文章数趋势图 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Gold OA文章占比 | 4.51% | |||||||||||||||||||||||||||||||
研究类文章占比: 文章 ÷(文章 + 综述) | 100.00% | |||||||||||||||||||||||||||||||
WOS期刊SCI分区 ( 2024-2025年最新版) | WOS分区等级:2区
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中国科学院《国际期刊预警 名单(试行)》名单 | 2025年03月发布的2025版:不在预警名单中 2024年02月发布的2024版:不在预警名单中 2023年01月发布的2023版:不在预警名单中 2021年12月发布的2021版:不在预警名单中 2020年12月发布的2020版:不在预警名单中 | |||||||||||||||||||||||||||||||
中国科学院SCI期刊分区 ( 2025年3月最新升级版) | 点击查看中国科学院SCI期刊分区趋势图
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中国科学院SCI期刊分区 ( 2023年12月升级版) |
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中国科学院SCI期刊分区 ( 2022年12月旧的升级版) |
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SCI期刊收录coverage | Science Citation Index Expanded (SCIE) (2020年1月,原SCI撤销合并入SCIE,统称SCIE) Scopus (CiteScore) | |||||||||||||||||||||||||||||||
PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0018-9383%5BISSN%5D | |||||||||||||||||||||||||||||||
平均审稿速度 | 网友分享经验: 平均4.7个月 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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期刊常用信息链接 |
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中国学者近期发表的论文 | |
1. | A Charge-Domain Design of Ferroelectric Tunneling Junction Synapse for Spiking Neural Networks Author: Zhu, Xiaobao; Feng, Ning; Qiu, Jiajun; Wang, Xianyu; Zeng, Min; Wu, Yanqing; Zhang, Lining Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1730-1737. DOI: 10.1109/TED.2025.3540759 DOI |
2. | Physics-Based Compact Modeling of Quantum Confinement and Quasi-Ballistic Transport in Ultra-Scaled GAAFETs Author: Zhao, Yusi; Xu, Zhongshan; Ding, Rongzheng; Tang, Huawei; Yu, Shaofeng Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1560-1568. DOI: 10.1109/TED.2025.3537585 DOI |
3. | Limiter Performance Improvement Through Thermal Management of GaN SBD Combined Microjet Cooling With Optimized Substrate Author: Zhao, Rikang; Lu, Dichen; Kang, Xuanwu; Wang, Weike; Wang, Lihua; Wu, Shuangli; Tan, Xiangguan; Ye, Yuxin; Kong, Yanmei; Jiao, Binbin; Liu, Xinyu Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1912-1918. DOI: 10.1109/TED.2025.3540031 DOI |
4. | High-Q Coupled Mode Resonator Based on Wafer-Level Transfer Technology Author: Zhao, Jicong; Lv, Shitao; Sun, Zexin; Cang, Dongqing; Sun, Haiyan; Shi, Quan Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1977-1985. DOI: 10.1109/TED.2025.3538639 DOI |
5. | High-Speed Ultraviolet Photodetector Based on p-GaN Gate HEMT for Flame Monitoring Author: Yilmaz, Ercan; Wang, Haodong; Doganci, Emre; Feng, Meixin; Sun, Qian; Mutale, Alex; Kahraman, Aysegul; Gurer, Umutcan; Yilmaz, Ozan; Sadigov, Azer; Ahmadov, Farid; Budak, Erhan Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1993-1999. DOI: 10.1109/TED.2025.3539636 DOI |
6. | A Data-Driven Remaining Useful Life Prediction Method for Power MOSFETs Considering Nonlinear Dynamical Behaviors Author: Yi, Jianmin; Ma, Cunbao; Wang, Hao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1885-1892. DOI: 10.1109/TED.2025.3543149 DOI |
7. | Neuromorphic Device With WOx/TiNOy Heterojunction for Airline Review Sentiment Prediction Author: Yang, Fan; Liu, Shixiong; Wang, Cong; Li, Yang Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 2046-2050. DOI: 10.1109/TED.2025.3537999 DOI |
8. | On the Interaction Between Hot Carrier Degradation (HCD) and Electrical-Induced Breakdown (EiB) in Advanced FinFET Nodes Author: Xue, Yongkang; Hu, Yilin; Wu, Maokun; Zhang, Chengyang; Wang, Da; Zhang, Jianfu; Ren, Pengpeng; Wu, Xing; Wang, Runsheng; Ji, Zhigang; Huang, Ru Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1604-1611. DOI: 10.1109/TED.2025.3543330 DOI |
9. | Study of a Lead-Free Perovskite MA3Bi2Br9 Narrowband Photodetector for Blue-Light Detection Author: Wu, Zhi-Cheng; Liu, Jia; Lu, Xiu-Dong; Wang, Jiang; Huang, Zhi-Yu; Zhu, Zhi-Guo; Wang, Cong-Cong; Wang, Yan; Liang, Feng-Xia; Luo, Lin-Bao Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 1828-1832. DOI: 10.1109/TED.2025.3538740 DOI |
10. | A High-Voltage Dual Direction Silicon-Controlled Rectifier Based on Flexible Stacking Strategy Author: Wang, Yang; Zhong, Zeyu; Jin, Xiangliang; Wang, Yuan Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025; Vol. 72, Issue 4, pp. 2086-2089. DOI: 10.1109/TED.2025.3544975 DOI |
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